什么是HIT电池

HIT电池也被称为异质结构电池，是光伏电池的一种，HIT结构是在N型硅片基底上采用非晶硅沉积的方式形成异质结并作为钝化层，该结构能改善PN结的性能，提升转化效率。

1990年日本成功开发出HIT电池，但因其已将HIT注册为商标，所以HIT电池也常被称为HJT或SHJ。

HIT电池有什么优势

1、结构对称，容易完成光伏电池对薄片化的需求;

2、相比其他电池来说，HIT电池属于低温工艺，能耗低于其他电池制作工艺;

3、HIT电池由于其基底的特性，改善了PN结的性能，从而开路电压高，转换效率高;

4、相比其他电池，HIT电池有着更低的温度系数;能更好的适用环境，在浅光照时仍能完成输出;

5、无 LID(光衰)和 PID(电位诱发衰减，常规电池组件的玻璃中的钠离子迁移到电池片表面并聚集进入电池内部，破坏P-N结)效应。

HIT电池制造工艺

HIT电池制造工艺有四种，分别是制绒清洗、非晶硅沉积、透明导电膜制备、丝网印刷，本文主要介绍前三种。

1、制绒清洗

当前清洗方式有两种，分别是RCA清洗(半导体级的湿式化学清洗法)和O3清洗，主要是对N型基底的清洗，当前主流清洗方式是RCA清洗，但这种清洗方式存在成本较高和污染较大的缺陷，未来，随着工艺的逐渐成熟，O3清洗将取而代之。

2、非晶硅沉积

目前主要有HWCVD(热丝化学气相沉积)和PECVD这两种工艺，都是用CVD的方式来镀本征非晶硅层、P型非晶硅层、N型非晶硅层，能不能形成异质结结构关键就看这一步，目前，该工艺已经取代了传统PERC工艺中的扩散工艺。

3、TCO 制备

主要包括两种方式：RPD(反应等离子体沉积)和PVD(物理化学气相沉积)。采用PVD(物理气相沉积)的方式来镀双面的透明导电膜，原理是通过对靶材的轰击实现镀膜。

RPD镀膜特点：

工艺温度高(150度以上)

沉积速率较慢

对非晶硅轰击较强

薄膜结晶度低，粗糙度较高

薄膜透过率较低，电阻率高

PVD镀膜工艺特点：

工艺温度低(常温)

沉积速率快

对非晶硅轰击弱

薄膜结晶度高，粗糙度低

薄膜透过率高，电阻率低

相比之下，RPD镀膜质量更好，但耗费成本更多。

来源：《公司研究山煤国际-大手笔布局HJT电池无历史包袱弯道超车可期-2020070633页.pdf》