硅片和晶圆是半导体行业的两个基本术语，它们在新兴电子器件中都占据着重要地位。它们在应用上彼此交互，共同发挥作用，但也有许多区别。早期的科技产品都是用硅片来制造，但是随着学术科研水平的提高和技术的发展，晶圆技术已经得到快速发展。这里让我们仔细研究一下硅片和晶圆之间的区别如下：
一、材料和工艺上的差异
1、材料上的差异：硅片是由成形的硅晶片制成，它是从硅晶体拉曼光谱的硅晶片制成的；而晶圆是用熔融烧结成的，是从熔体状态下加工而成的，采用的是熔融烧结法，熔体的主要成分是元素硅，因此也称晶圆采用硅材料制作。
2、工艺上的差异：硅片的制作工艺要求非常细致，必须经过磨镶、切割、结构开孔、钎焊等多步复杂工艺，能真正发挥出硅片的最佳性能；晶圆的制作工艺要求相对较低，只需采用一种制程能够达到产品的预期效果，无需经过多种复杂的加工步骤。
二、尺寸和厚度上的差异
1、尺寸上的差异：硅片的尺寸不大，一般不会超过400毫米；而晶圆的尺寸小，例如小到仅几微米，可以满足复杂电路的要求。
2、厚度上的差异：硅片普遍较厚，一般厚度介于0.2毫米至2毫米之间；而晶圆的厚度通常介于0.025毫米到0.2毫米之间，可根据需要将厚度进行调节。
三、在功能能力上的差异
1、硅片在功能性能上不够精细，只能满足基本的功能特性；而晶圆的功能性能很精细，可以满足复杂电路的要求，基本可以满足所有的智能电子产品。
2、硅片是一个通用型产品，其功能性能较低；晶圆具有良好的复杂集成度，可实现小型化和节能化，因此，它可以在多各电子设备中得到应用，如电脑、手机等。
四、其他性能上的差异
1、硅片的耐温特性一般较好，可以耐受温度高达150°C；而晶圆的耐温特性很低，温度上升到100°C就会引起电性能的偏移，因此晶圆的热稳定性较差，在一定温度范围内，尽量减少晶圆的热分布，以减少电性能的改变。
2、硅片和晶圆在可靠性方面也有很大差距，晶圆具有很好的可靠性，不容易发生故障，而且能够耐热和耐寒，多年以来一直被广泛应用。
以上是硅片和晶圆的区别，可以看出，硅片和晶圆在材料、工艺、尺寸及厚度、功能能力以及其它性能方面均存在显著差异。硅片是非常通用的产品，可用于半导体材料和工艺制备小型集成电路，而晶圆则具有高节能及小型化特征，可使得小型电子设备功能更精细、复杂、智能化，从而满足多种要求。